1、紫外芯片的波段

　　目前，世界上研究近紫外led的機(jī)構(gòu)主要有日本的日亞Nichia，Toshiba公司和美國(guó)的Cree公司，臺(tái)灣的國(guó)立中興大學(xué)，韓國(guó)的Optowell公司及國(guó)內(nèi)的北京大學(xué)等。

　　日本憑借其在藍(lán)光LED領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，在UV-LED方面的進(jìn)展舉世矚目。尤其是日亞公司，在365nmUV-LED的研究上遙遙領(lǐng)先；美國(guó)在深紫外的研究方面領(lǐng)先，但是近年已經(jīng)被日本超越；中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)起步相對(duì)較晚，但在該領(lǐng)域也取得了一些進(jìn)展；國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域近年來發(fā)展很快，但與海外相比差距還比較大。

　　紫外LED芯片主要是GaN類半導(dǎo)體，目前通過調(diào)節(jié)反應(yīng)條件和反應(yīng)工藝已可以實(shí)現(xiàn)深紫外（λ＜300nm）、紫外（300nm＜λ＜380nm）和近紫外（380nm＜λ）芯片的制備。具體的芯片波長(zhǎng)包括：250±5nm，260±5nm，270±5nm，280±5nm，290±5nm，300±5nm，310±5nm，320±5nm，330±5nm，340±5nm，350±5nm，360±5nm，370±5nm，380±5nm，390±5nm，400±5nm，410±5nm，420±5nm等。

　　2、紫外芯片的廠商及其產(chǎn)品性能

　　對(duì)于紫外芯片，目前小于370nm的紫外LED的發(fā)射強(qiáng)度極低，尚沒有實(shí)用價(jià)值，現(xiàn)紫外LED芯片研制和生產(chǎn)領(lǐng)域都在努力提高370~42推薦：www.zhongyifengliao.com www.5060333.com www.bddanfengyan.com www.ruxianzhiliaowang.com
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0nm波段的芯片效率。

　　在紫外芯片廠商中，比較有代表性的是日本的日亞、美國(guó)的Cree和SemiLEDs等。其中日本日亞公司能提供的輻射能為22 mW，外量子效率為35.5%，波長(zhǎng)為400 nm的紫外芯片，美國(guó)cree公司則可以提供的輻射能為21 mW的395nm～410 nm的紫外芯片。另外臺(tái)灣現(xiàn)在可以向市場(chǎng)提供4 mW左右的紫外芯片，臺(tái)灣紫外芯片的實(shí)驗(yàn)室水平可以實(shí)現(xiàn)7～8 mW的水平。而國(guó)內(nèi)的公司可以向市場(chǎng)提供2 mW左右的紫外芯片。下表為目前生產(chǎn)360nm以上波長(zhǎng)紫外芯片有代表性的公司及其相應(yīng)產(chǎn)品的性能。