氮化鋁

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的導熱性（為氧化鋁陶瓷的5-10倍），較低的介電常數(shù)和介質損耗，可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕，且與硅的熱膨脹系數(shù)相近，作為新一代的陶瓷材料，越來越受到人們的關注和重視。我司生產的氮化鋁陶瓷，品質領先國內同類產品，具有國際先進水平，廣泛應用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。
AlN陶瓷基片主要性能指標性能內容，性能指標 ：熱導率(W/m·k）≥170體積電阻率（Ω·cm）＞1013介電常數(shù)[1MHz,25℃]9介電損耗[1MHz,25℃]3.8х10-4, 抗電強度(KV/mm)17 體積密度（g/cm3）≥3.30, 表面粗糙度Ra(μm)0.3~0.5, 熱膨脹系數(shù)[20℃ to 300℃](10-6/℃) 4.6, 抗彎強度(MPa) ,320~330, 彈性模量(GPa) ,310~320, 莫氏硬度8 ,吸水率(%)0 ,翹曲度(~/25(長度) 0.03~0.05 ,熔點:2500,外觀/顏色:灰白色