石墨烯系列產(chǎn)品 >> CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯 >> CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯 產(chǎn)品編號(hào)：11110365316產(chǎn)品名稱：CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯規(guī)格：產(chǎn)品備注：產(chǎn)品類別：石墨烯系列產(chǎn)品    產(chǎn)品說(shuō)明通常，石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術(shù)生長(zhǎng)的，在微電子或電子器件的應(yīng)用中不得不將其從導(dǎo)電的金屬上用化學(xué)方法剝離，將其置于分離的襯底上再應(yīng)用。這在器件的制備上存在很大的局限性，而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長(zhǎng)的石墨烯可以直接用來(lái)制備電子器件，如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等，尤其是在SiC襯底上用CVD技術(shù)生長(zhǎng)的石墨烯與CMOS工藝兼容，因而無(wú)需進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移，即可應(yīng)用于電子器件研制。在4H和6H型SiC襯底上生長(zhǎng)單層/雙層和三層石墨烯晶型晶體性質(zhì)石墨烯生長(zhǎng)面石墨烯4H-SiC半絕緣型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面P型或N型4H-SiC導(dǎo)電型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面—6H-SiC半絕緣型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面P型或N型6H-SiC導(dǎo)電型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面—標(biāo)準(zhǔn)尺寸10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x2英寸，4英寸x4英寸標(biāo)準(zhǔn)尺寸φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸定制尺寸根據(jù)客戶要求 描述：● 生長(zhǎng)方法：CVD生長(zhǎng)● 覆蓋率：100%● 石墨烯層數(shù)：1層，2層，3層● 單層厚度：0.345nm● 載流子密度：N型5x10¹¹-1.5x10¹³cm^-2，P型1x10¹³-1.5x10¹³cm^-2● N型遷移率：3000cm²/Vs● P型遷移率：可達(dá)6500乃至8000cm²/Vs(溫度：300K) 應(yīng)用● 高頻電子器件● 光電子器件● 量子器件● 自旋電子學(xué)● 光電探測(cè)器● 新碳電子學(xué)● 石墨烯半導(dǎo)體芯片● 石墨烯計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器● 生物技術(shù)● 生物傳感器