78P372
CPU 配置
2Kx13 位芯片上 ROM
80 x 8 位芯片寄存器 (SRAM #
8 級(jí)的子程序嵌套堆棧
4 可編程一級(jí)電壓探測(cè)器 #LVD）： 4.5 v、 4.0 v、 3.3 v、 2.2 v
3 可編程級(jí)電壓復(fù)位 (LVR): 4.0 v、 3.5V、 2.7 v
不少于 1.5 馬在 5V / 4 MHz
通常 15 μ A，在 3V / 32 千赫
通常 2 μ A，在睡眠模式中
輸入/輸出端口配置
3 雙向 I/O 端口： P5 P6，P7
18 I/O 針腳 & 1I 針
喚醒端口： P5
8 個(gè)可編程下拉菜單 I/O 引腳
16 可編程拉高 I/O 針腳
8 個(gè)可編程開路 I/O 引腳
14 個(gè)可編程高接收器當(dāng)前 I/O 針腳
外部 interrupt：P60
運(yùn)行電壓和溫度范圍：
2.1V ~ 5.5 v 在 0 ° C ~ 70 ° C （商業(yè) #
2.3V ~ 5.5 v 在-40 ° C ~ 85 ° C# 工業(yè) #
操作模式：
水晶模式：
直流 ~ 16 MHz、 4.5 v ；
直流 ~ 8 MHz、 3V ；直流 ~ 4 MHz、 2.1V
緊急救濟(jì)協(xié)調(diào)員模式：
直流 ~ 2 MHz，2.1V ；
IRC 模式：
振蕩模式： 16 MHz、 4 兆赫、 1 兆赫、 8 MHz
內(nèi)部 RC FrequencyDrift 率
Temperature#-40 ° C ~ 85 ° C） 電壓 （2.1V ~ 5.5 v) ProcessTotal
4 MHz±2%± 1%± 2%± 5 %
16 MHz±2%± 1%± 2%± 5 %
8 MHz±2%± 1%± 2%± 5 %
1 kHz±2%± 1%± 2%± 5 %

 

振動(dòng)模式：
快速設(shè)置時(shí)間需要僅 0.8ms年 (VDD： 5V 水晶： 4 MHz、 C1/C2: 15pF # XT 模式和 IRC 模式 #VDD 10?s： 5V、 IRC： 4 MHz #
八個(gè)中斷源： 三個(gè)外部和內(nèi)部的五個(gè)：
TCC 溢出中斷
輸入端口的狀態(tài)更改中斷 #wake 從睡眠模式 #
外部中斷
香港藝術(shù)發(fā)展局完成中斷
比較器狀態(tài)更改中斷
低電壓檢測(cè) #LVD) 中斷
PWM1 ~ 2 期匹配的中斷
PWM1 ~ 2 責(zé)任比賽中斷
封裝類型：
10 針功能 118mil: EM78P372NMS10J/S
10 針 SSOP 150mil: EM78P372NSS10J/S
14 針 DIP 300mil: EM78P372ND14J/S
14 針 SOP 150mil: EM78P372NSO14J/S
16 針 SOP 150mil: EM78P372NSO16AJ/S
18 針 DIP 300mil: EM78P372ND18J/S
18 針 SOP 300mil:&nbs