6寸單晶硅片技術(shù)參數(shù)
1.Type/類型：P
2.Square side/尺寸：125*125±0.4mm
3.Diameter/直徑：Φ150±0.4mm
4.Thickness/厚度： 200±20μm
5.Resistivity/電阻率：1.0–3.0Ω?cm
6.Lifetime/少子壽命≥10μs
7.Oxygen content/氧含量≤1×1018atoms/cm3
8.Carbon content/碳含量≤5×1016atoms/cm3
9.Warp/彎曲度：≤30μm
10.TTV: ≤35μm
11.Etching pit/位錯(cuò)密度：≤1000/cm3
12.Growing orientation/表面、邊緣晶向：±1.0
13.Edge defect/崩邊：Length/長(zhǎng)度≤0.4mm、Depth/深度≤0.8mm，每片不超過(guò)2個(gè)(no more than 2 per piece wafer)，間隔Space≥30mm
14.Gap/缺口：Length/長(zhǎng)度≤1mm、Depth/深度≤0.3mm，每片≤1個(gè)(no more than 1 per piece wafer)
15.晶片無(wú)裂紋、孔洞和明顯刀痕及凹坑 
No crack, hole, obvious sawmarks and concave. 
（2）6.5寸單晶硅片技術(shù)參數(shù)
1.Type/類型：P
2.Square side/尺寸：125*125±0.4mm
3.Diameter/直徑：Φ165±0.4mm
4.Thickness/厚度： 200±20μm
5.Resistivity/電阻率：1.0–3.0Ω?cm
6.Lifetime/少子壽命≥10μs
7.Oxygen content/氧含量≤1×1018atoms/cm3
8.Carbon content/碳含量≤5×1016atoms/cm3
9.Warp/彎曲度：≤30μm
10.TTV: ≤35μm
11.Etching pit/位錯(cuò)密度：≤1000/cm3
12.Growing orientation/表面、邊緣晶向：±1.0
13.Edge defect/崩邊：Length/長(zhǎng)度≤0.4mm、Depth/深度≤0.8mm，每片不超過(guò)2個(gè)(no more than 2 per piece wafer)，間隔Space≥30mm
14.Gap/缺口：Length/長(zhǎng)度≤1mm、Depth/深度≤0.3mm，每片≤1個(gè)(no more than 1 per piece wafer)
15.晶片無(wú)裂紋、孔洞和明顯刀痕及凹坑 
No crack, hole, obvious sawmarks and concave.