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北京市北方思源電子技術(shù)中心

主營(yíng):示波器,頻譜分析儀,信號(hào)發(fā)生器,邏輯分析儀,無(wú)線電綜測(cè)儀,功率計(jì)
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[供應(yīng)]供應(yīng)晶體管圖示儀 XJ4810 / XJ4810A
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:上海
  • 產(chǎn)品品牌:上海無(wú)線電
  • 包裝規(guī)格:XJ4810
  • 產(chǎn)品數(shù)量:20
  • 計(jì)量單位:臺(tái)
  • 產(chǎn)品單價(jià):2200
  • 更新日期:2014-09-29 09:11:19
  • 有效期至:2024-09-26
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供應(yīng)晶體管圖示儀 XJ4810 / XJ4810A 詳細(xì)信息

晶體管圖示儀 XJ4810 / XJ4810A
產(chǎn)地: 上海
尺寸: 32×22×40cm
重量: 17kg

說(shuō)明書(shū)下載

XJ4810型/XJ4810A型半導(dǎo)體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線,并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)。本儀器具有二簇曲線顯示,雙向集電極掃描電路,可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特司長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)比分析,便于對(duì)管或配件配對(duì)。本儀器IR測(cè)量達(dá)200nA/div,配備擴(kuò)展裝置后,VC可達(dá)3KV;可測(cè)試CMOS及TTL門電路傳輸特性;可對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行配對(duì)或?qū)軠y(cè)試;可測(cè)試三端穩(wěn)壓管特性。

集電極掃描信號(hào)

輸出電壓范圍及電流容量 
0~5V 10A(XJ4810A) 0~10V 5A 
0~50V 1A 0~100V 0.5A 
0~500V 0.1A     
基極階梯信號(hào) 
階梯電流 0.2μA/級(jí)~50mA/級(jí),分17檔(XJ4810) 
  0.2μA/級(jí)~100mA/級(jí),分18檔(XJ4810A) 
階梯電壓 0.05V級(jí)~1V/級(jí),分5檔(XJ4810) 
  0.1V級(jí)~2V/級(jí),分5檔(XJ4810A) 
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 
集電極電流 10μA/div~0.5A/div,分15檔(XJ4810) 
  10μA/div~1A/div,分16檔(XJ4810A) 
二極管電流 0.2μA/div~5μA/div,分5檔 
倍率 ×0.1 
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 
集電極電壓 0.05V/div~50V/div,分10檔 
基極電壓 0.05V/div~1V/div,分5檔 
二族顯示  二簇曲線左右分列顯示并可左右位移 
一般性能 
適應(yīng)電源 AC220V±10% 50Hz±4% 
視在功率 約50VA(非測(cè)試狀態(tài))約80VA(最大功率) 

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XJ4810
XJ-4810型半導(dǎo)體特性圖示儀,是一種用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線,并可測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試儀器。

1.1 本儀器主要由以下幾個(gè)部分組成:

1.1.1 Y軸放大器及X軸放大器。

1.1.2 階梯信號(hào)發(fā)生器

1.1.3 集電極掃描發(fā)生器

1.1.4 主電源及高壓電源部分

1.2 本儀器是繼JT-1后的開(kāi)發(fā)產(chǎn)品,它除了繼承JT-1的優(yōu)點(diǎn)外,作了較大改進(jìn)與提 高,它與其他半導(dǎo)體管特性圖示儀相比,具有以下特點(diǎn):

1.2.1 本儀器采用全晶體管化電路、尺寸小、重量輕。

1.2.2 增設(shè)集電極雙向掃描電路及裝置,能同時(shí)觀察二極管的正反向輸出特性曲線、簡(jiǎn)化測(cè)試手續(xù)。

1.2.3 配有雙簇曲線顯示電路,對(duì)于中小功率晶體管各種參數(shù)的配對(duì),尤為方便。

1.2.4 本儀器專為工作于小電流超b晶體管測(cè)試作了提高,最小階梯電流可達(dá)0.2μA/級(jí)

1.2.5 本儀器還專為測(cè)試二極管的反向漏電流采取了適當(dāng)措施,使測(cè)試的IR達(dá)20nA/div。

1.2.6 本儀器配上它的擴(kuò)展裝置—XJ27100場(chǎng)效應(yīng)管配對(duì)測(cè)試臺(tái)可對(duì)國(guó)內(nèi)外各種場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管和單管進(jìn)行比較測(cè)試。

1.2.7 本儀器配上它的擴(kuò)展裝置—XJ27101數(shù)字集成電路電壓傳輸特性測(cè)試臺(tái),可測(cè)試CMOS,TTL數(shù)字集成電路的電壓傳輸特性。

主要技術(shù)指標(biāo)

2.1 Y軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)

集電極電流范圍(Ic)10μA/div-0.5A/div 分15檔,誤差不超過(guò)±3%。

二極管反向漏電流(IR)0.2μA/div-5μA/div 分5檔。

2μA/div-5μA/div 誤差不超過(guò)±3%。

0.2μA/div、0.5μA/div、1μA/div 誤差分別不超過(guò)±20%、±10、±5%

基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過(guò)±3%。

外接輸入 0.05V/div 誤差不超過(guò)±3%。

偏轉(zhuǎn)倍率 ×0.1 誤差不超過(guò)±(10%+10nA)。

2.2 X軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)

集電極電壓范圍 0.05V/div—50V/div 分10檔 誤差不超過(guò)±3%。

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