RF射頻貼片電容，高品質(zhì)因數(shù)陶瓷電容，微波陶瓷電容，高頻貼片電容

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電容尺寸:0201，0402，0603，0805；

電容電壓:6.3V，10V，25V，50V，100V，250V；
溫度系數(shù)（溫漂系數(shù)）:±30ppm；0201 Cap≥22pF，60ppm

電容精度:0.1pF:B(±0.1pF)；

0.2pF≤cap≤5pF:A(±0.05pF)，B(±0.1pF)，C(±0.25pF)；

5pF< cap< 10pF:B(±0.1pF)，C(±0.25pF)，D(±0.5pF)；

cap≥10pF:F(±1%)，G(±2%)，J(±5%)

電容Q值實(shí)質(zhì)上就是該電容的品質(zhì)因數(shù)，我們知道任何一個(gè)電容器都不會(huì)是理想的電容器，在電容器通過(guò)交流信號(hào)時(shí)都會(huì)或多或少的產(chǎn)生功率損耗，這個(gè)損耗主要消耗在電容器本身的等效串聯(lián)電阻和兩極間的絕緣介質(zhì)上。通常為了表示該電容器品質(zhì)好壞用某一頻率下電容器損耗功率與電容器存儲(chǔ)功率(無(wú)功功率)之比來(lái)表示，這個(gè)比值就是該電容器的Q值。