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[供應]內置MOS的SOP-8移動電源升壓芯片
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  • 產品產地:碩芯科技
  • 產品品牌:SX
  • 包裝規(guī)格:SX1322
  • 產品數(shù)量:50000
  • 計量單位:片
  • 產品單價:0.1
  • 更新日期:2016-09-05 11:19:55
  • 有效期至:2017-09-05
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內置MOS的SOP-8移動電源升壓芯片 詳細信息

 SX1322推出同步整流3V升5V 2A 內置MOS的SOP-8移動電源升壓芯片
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。
為什么要應用同步整流技術電子技術的發(fā)展,使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,開關電源的損耗主要由3部分組成:功率開關管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出??旎謴投O管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降,這就導致整流損耗增大,電源效率降低。   舉例說明,目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達20A。此時超快恢復二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。
 SX1322采用工業(yè)標準的SOP-8的小體積封裝。
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